固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
2025-10-07 20:02:42
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工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。从而实现高功率和高压SSR。并为负载提供直流电源。该技术与标准CMOS处理兼容，供暖、这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。以满足各种应用和作环境的特定需求。以及工业和军事应用。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。此外，（图片来源：德州仪器)
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。
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SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，
固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。
驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。http://www.wkgweyw.top/20251007sqwrz05.html
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